什么是EEPROM的？
EEPROM的主张电可擦除可编程只读存储器。 一种EEPROM是像存储器芯片，因为它可以书面或编程不止一次。 不同的存储器芯片，但是， EEPROM芯片不必取出电脑或电子设备，它是当一个新的程序或数据需要书面上。
选择性编程可以做到的电可擦除只读存储器芯片。 用户可以改变的价值，某些细胞，而无需擦除编程其他细胞。 因此，部分数据可擦写和替换，而无需改变芯片其余部分的节目。
数据存储在电可擦除只读存储器芯片是永久性的，至少直到用户决定删除并替换所包含的信息。 此外，数据存储在电可擦除只读存储器芯片是不会丢失，即使设备断电。
历史上的电可擦除只读存储器
的电可擦除只读存储器是一个修改EPROM和设计由George Perlegos 。 它的发展始于1978年，而Perlegos仍受雇于英特尔。 然而典型的电可擦除只读存储器仍有待取出电脑或电子设备，它是任何编程是必要的。
当Perlegos离开英特尔形成Seeq技术，他设计的第一个全功能的电可擦除只读存储器。 消除外部编程的必要性， Perlegos和公司的绝缘层更薄，集成了振荡器和电容电路进入内存芯片本身。 这种电荷泵可以产生必要的编程电压。 因为它是完全集成在每个EEPROM芯片，因此没有必要采取了EEPROM芯片的擦除和编程。 要配置的EEPROM芯片，电场产生的电荷泵适用于本地细胞标记进行修改。
电可擦除只读存储器结构
的电可擦除只读存储器芯片是身体类似存储器芯片。 这也是组成细胞的两个晶体管。 该浮栅脱离控制的薄栅氧化层。 不同的存储器芯片，但是，电可擦除只读存储器芯片的氧化层是非常薄。 在电可擦除只读存储器芯片，绝缘层，则只有1纳米厚，而在存储器芯片，氧化层约为3纳米厚。 薄氧化层是指低电压启动需求的变化细胞价值。
隧穿电子的浮动栅氧化层对分离的浮栅和控制闸门仍然是不断变化的方法有点的价值从1到0 。 抹去的EEPROM编程，电子障碍仍有待克服的应用足够的编程电压。
EEPROM的局限性
虽然可重新编程的EEPROM ，多少次，它可以改变是有限的。 这是最主要的原因很受欢迎的EEPROM芯片只存储配置数据，如计算机的BIOS代码不需要经常编程。 氧化物绝缘层损坏的可频繁重写。 现代的EEPROM可重写高达100万次。
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书签什么是EEPROM的？
