什么是MRAM的磁记忆？

的MRAM （磁阻随机存取存储器）是被视为一个可行的替代目前的DRAM技术。其主要区别是对后者的使用磁场以节省内存位使记忆“永久性的。 ” 因此， MRAM技术可以更快地存取和数据安全。

目前的内存技术

目前的内存技术采用电荷存储记忆位。 Microminiaturized电容器和晶体管集成电路是'堆叠'创建高密度，大的内存，但身体的小芯片。一个典型的内存芯片存储的1Gb ，并允许更多的程序和数据的存储直接使用的CPU的。

的主要问题目前的内存技术是电容器的电荷泄漏。这样的结果是损失的信息。因此，电容器的电荷必须不断更新，以保持积极的信息，并容易获得。这意味着需要不断电源-不是一个问题与计算机连接到电源插座（除非权力无意中切断），但有问题的笔记本电脑或便携式电脑使用的电池;不断刷新的内存水渠的电池。

这也导致了另一个问题-关掉电力（故意或意外关闭计算机）意味着所有信息存储在RAM中消失。需要一段时间重新启动的所有程序，系统和数据增值和这样的结果是'空闲时间'的用户。

MRAM采用磁性材料内容存储信息;通常的形式是两个磁板-分离薄绝缘层-这形成一个单细胞。一个板块有一个具体的磁极，而其他不同与外部领域。 MRAM的是一个单位组成的一个网格的这种细胞。

的主要优点是的MRAM芯片是没有需要不断更新的信息，通过定期的应用电荷;甚至关闭计算机没有抹掉信息。因此，启动例程更快，只需打开电脑，并在上届会议是立即可用。与此同时，有风险降低数据丢失的意外停电。

有两个不利的MRAM产品，但是，这无法加入主流。变化磁场中的数据，需要投入更大的力量比常规RAM芯片;的效果，需要不断电源取而代之的是一个更大的权力的要求。此外，磁场的性质意味着身体较大的存储'细胞' -一个商店的MRAM芯片较少的内存比RAM芯片的尺寸相同。

正在进行的研究旨在解决这些问题，都使用了各种办法。虽然有些公司的报告准备大规模生产的MRAM芯片，还有待观察是否会成功地解决了电源输入和规模问题。如果这些是解决和价格的MRAM芯片符合目前的RAM芯片，我们将看到一场革命，计算机启动和运行。

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